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CS5N60FA9HD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS 场效应晶体管--普通MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS5N60FA9HDY	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS 场效应晶体管--普通MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS5N60FA9R	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V-900V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
FCD5N60	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET™ is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provi 文件：947.92 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCD5N60	文件：353.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.95Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：353.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCD5N60TF	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET™ is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provi 文件：947.92 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

ID（A）：
5
RDSON（Ω）（@Vgs=10V）：
2.3
VGS（TH）(V)：
2-4
QG（nC）：
14.5
封装形式：
TO-220F
状态：
量产
更新日期：
2017-09-30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市乐创天科技有限公司	CS5N60FA9HDY	CRMICRO华润微	2016	TO-220F	375	全新原装正品现货	询价
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更多CS5N60F供应商更新时间2025-12-15 9:04:00

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