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CS4N60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOSFET;	ConvertSuzhou Convert Semiconductor Co.,Ltd. 锴威特苏州锴威特半导体股份有限公司	Convert
DG4N60	文件：1.36241 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET GeneralDescription DG4N60isanN-channelenhancementmodeMOSFET,whichisproducedusingDongguangMicro-electronics’s proprietary.Theself-alignedplanarprocessandimprovedterminaltechnologyreducetheconductionloss,improve switchingperformanceandenhancetheavalancheenergy.The	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DMD4N60-TR	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMD4N60-TU	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMF4N60-TU	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMG4N60SCT	文件：326.2 Kbytes Page：6 Pages	LowInputCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG4N60SCT	文件：304.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DMG4N60-TR	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
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DMK4N60-TU	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC

技术参数

Package：
TO220-3
Polarity：
N
Technology：
HVMOS
ESDDiode：
N
FRDDiode：
N
VDS(V)：
600
ID (A)：
4
Vth(V)Typ：
3.5
RDS(ON) (mΩ)10Vtyp：
1800
Qg* (nC)：
17.5

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