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HS-422	文件：138.99 Kbytes Page：3 Pages	HitecHS422Servo SPECIFICATION -ControlSystem:+PulseWidthControl1500usecNeutral -RequiredPulse:3-5VoltPeaktoPeakSquareWave -OperatingVoltage:4.8-6.0Volts -OperatingTemperatureRange:-20to+60DegreeC -OperatingSpeed(4.8V):0.21sec/60°atnoload -OperatingSpeed(6.0V):0.16sec/6	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW422	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW422	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
ICX422	文件：161.53 Kbytes Page：16 Pages	Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX422ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX082AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteris	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX422AL	文件：161.53 Kbytes Page：16 Pages	Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX422ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX082AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteris	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IFN422	文件：72.21 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ●VeryHighInputImpedanceDifferentialAmplifiers ●Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IL422	文件：213.36 Kbytes Page：12 Pages	IsolatedRS422/RS485Interface Features •3.3VInputSupplyCompatible •25nsMaximumPropagationDelay •25MbpsDataRate •1nsPulseSkew(typ.) •±60mADriverOutputCapability •ThermalShutdownProtection •MeetsorExceedsANSI422-B,EIA485-Aand ITURecommendedV11 •LowEMCFootprint •−40°Cto+85°C	NVE NVE Corporation	NVE
IL422E	文件：213.36 Kbytes Page：12 Pages	IsolatedRS422/RS485Interface Features •3.3VInputSupplyCompatible •25nsMaximumPropagationDelay •25MbpsDataRate •1nsPulseSkew(typ.) •±60mADriverOutputCapability •ThermalShutdownProtection •MeetsorExceedsANSI422-B,EIA485-Aand ITURecommendedV11 •LowEMCFootprint •−40°Cto+85°C	NVE NVE Corporation	NVE
IRF422	文件：69.48 Kbytes Page：7 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforappli	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF422	文件：211.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
CS422YTA
制造商：
Vishay Angstrohm
功能描述：
433500690081

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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