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IRF422	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF422	文件：48.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF422	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF422	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFR422	文件：320.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU422	文件：344.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IS422	文件：38.2 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDBILATERALSWITCHLIGHTACTIVATEDZEROVOLTAGECROSSINGTRIAC	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ISCNL422N	文件：329.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·DC/DCConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISO422	文件：251.34 Kbytes Page：8 Pages	DIFFERENTIALBUSTRANSCEIVER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
ISO422P	文件：251.34 Kbytes Page：8 Pages	DIFFERENTIALBUSTRANSCEIVER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN

详细参数

型号：
CS422YTA
制造商：
Vishay Angstrohm
功能描述：
433500690081

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