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CS3N80BF	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel Planar MOSFET	Convert 锴威特	Convert
FQB3N80	文件：661.96 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：661.96 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SSS3N80	文件：281.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS 文件：281.01 Kbytes 页数：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
SSS3N80A	文件：321.97 Kbytes Page：6 Pages	ADVANCED POWER MOSFET 文件：321.97 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
single
Type：
N
ESD Diode：
No
FRD Diode：
No
VDS(V)：
800
VGS(±V)：
30
ID* (A) @25°C：
3
RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp：
4000
RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax：
4800
VGS(th) (V)min：
3
VGS(th) (V)max：
4
Ciss (pF)：
434
Coss (pF)：
149
Crss (pF)：
8
Qg* (nC)：
16.5
Qgd (nC)：
6.6
Trr (ns)：
582
Qrr (uC)：
0.87

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更多CS3N80BF供应商更新时间2026-3-30 15:02:00

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