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CS3N100P

1000V N-Channel Planar MOSFET

Convert

锴威特

DAM3N100L

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:484.17 Kbytes 页数:4 Pages

DACO

罡境电子

IXTA3N100P

Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件:155.83 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA3N100P

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:336.58 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Package:

    TO220

  • Configuration:

    single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • FRD Diode:

    No

  • VDS(V):

    1000

  • VGS(±V):

    30

  • ID* (A) @25°C:

    3

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp:

    4600

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax:

    5500

  • VGS(th) (V)min:

    3

  • VGS(th) (V)max:

    4

  • Ciss (pF):

    535

  • Coss (pF):

    53

  • Crss (pF):

    10

  • Qg* (nC):

    24

  • Qgd (nC):

    14.6

  • Trr (ns):

    886

  • Qrr (uC):

    0.9

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Convert Semiconductor(锴威特半
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TO-220
315000
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更多CS3N100P供应商 更新时间2025-11-26 11:01:00