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38N30	文件：742.1 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET Description UniFET™MOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA38N30	文件：495.83 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET300V,38A,0.085廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA38N30	文件：347.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDA38N30	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB38N30U	文件：328.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=120mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB38N30U	文件：558.65 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETTMUltraFRFETTMMOSFET Description UniFETMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andto providebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.UniFETUltraFRFET MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA38N30	文件：742.1 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET Description UniFET™MOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA38N30	文件：363.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=38.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP38N30	文件：296.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH38N30	文件：322.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andCurrentRegulators	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	CS38N30AN	华晶	TO-3P(N)	80000000	2013		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CS38N30AN	华晶	23+	TO-3P(N)	60565	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	CS39000-CQZ	CIRRUSLOGIC	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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