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30N20	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N20	文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
A30N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DAM30N20D	文件：233.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAME30N20H	文件：250.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FTW30N20A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MSAER30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFR30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTE30N20FP	文件：446.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTH30N20	文件：293.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB30N20	文件：85.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N20	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N20G	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：88.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeTO??20 N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市航润创能电子集团有限公司	CS30N20F	CS	21+	TO-220	17328	原装现货假一赔十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CS30N20F	CS	21+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CS30N20F	CS	18+	TO-220	17310	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CS30N20F	CS	2023+	TO-220	59458	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价
深圳市共奕科技有限公司	CS30N20FA9R	CRM/华润微	1年内	TO-220F	150000	类别:　12V~751V N沟道MOS管	询价
艾睿国际（香港）有限公司	CS30N31	CASS(凯思)	2112+	TO-220	105000	50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
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更多CS30N20AKR供应商更新时间2024-6-21 17:24:00

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