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CS2N60A3H

N型功率MOS管

CS2N60 A3H, N沟道增强型MOS产品, 采用自对准平面工艺减少开关损耗, 提高开关速度 并且增强脉冲能量. 该产品广泛应用于高效和小型化的功率开关电路中。 ●开关速度快\n● 低导通电阻(Rdson≤4.5)\n●低栅电荷 (Typical Data:8.5nC)\n●低反向传输电容(Typical:5.4pF)\n●100% 脉冲能量测试;

CRMICRO

华润微电子

CS2N60A23H

300V-900V NMOS

CRMICRO

华润微电子

CS2N60A3H1

MOS 场效应晶体管--普通MOSFET

CRMICRO

华润微电子

CS2N60F

Silicon N-Channel Power MOSFET

General Description: CS2N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sys

文件:448.95 Kbytes 页数:10 Pages

HUAJING-MICRO

华润微电子

D2N60

2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.34834 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

D2N60

2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.3527 Mbytes 页数:13 Pages

WXDH

东海半导体

技术参数

  • ID(A):

    2

  • RDSON(max)(Ω):

    4.5

  • 封装Package:

    TO-251

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CRMICRO华润微
2025
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60000
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更多CS2N60A供应商 更新时间2025-12-24 16:00:00