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CS20N65F

Planar MOSFET

Convert

锴威特

CS20N65FA9H

300V-900V NMOS

CRMICRO

华润微电子

CS20N65FA9R

300V-900V NMOS

CRMICRO

华润微电子

FIR20N65AFG

Low Intrinsic Capacitances

文件:2.68488 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR20N65FG

N-Channel Power MOSFET

文件:8.63665 Mbytes 页数:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

GB20N65FS

650V/20A Field Stop IGBT

Features 650V 20A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@20A Field Stop IGBT Technology. 10μs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation

文件:1.38001 Mbytes 页数:9 Pages

LUGUANG

鲁光电子

技术参数

  • Package:

    TO220F-3

  • Polarity:

    N

  • Technology:

    HVMOS

  • ESDDiode:

    N

  • FRDDiode:

    N

  • VDS(V):

    650

  • ID (A):

    20

  • Vth(V)Typ:

    3.5

  • RDS(ON) (mΩ)10Vtyp:

    350

  • Qg* (nC):

    136

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Convert Semiconductor(锴威特半
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TO-220F
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TO-220F
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更多CS20N65F供应商 更新时间2025-12-11 15:01:00