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CS12P03AE-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS 场效应晶体管--低压MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
EMB12P03A	文件：224.99 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：224.99 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12P03G	文件：186.6 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.)(VGS=‐10V) 10mΩ ID ‐13A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：186.6 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12P03H	文件：211.31 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：211.31 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

ID（A）：
-12
RDSON（mΩ）（@Vgs=10V）：
13.5
VGS（TH）(V)：
-1--2
QG（nC）：
50.3
封装形式：
SOP8
状态：
量产
更新日期：
2019-12-17

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