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CS12N60FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET

Features: - Fast Switching - LowON Resistance(Rdson≤0.75Ω) - Low Gate Charge (Typical Data:40nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:10pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test

文件:274.36 Kbytes 页数:10 Pages

HUAJING-MICRO

华润微电子

CS12N60FA9R

300V-900V NMOS

CRMICRO

华润微电子

CS12N60FA9R-G

MOS 场效应晶体管--普通MOSFET

CRMICRO

华润微电子

CS12N60FA9R-Z

MOS 场效应晶体管--普通MOSFET

CRMICRO

华润微电子

技术参数

  • Polarity:

    N

  • VDS(V):

    600

  • ID(A):

    12

  • RDS(ON) at Vgs=10V_TYP(mΩ):

    570

  • RDS(ON) at Vgs=10V_MAX(mΩ):

    750

  • VGS(TH)_Min(V):

    2

  • VGS(TH)_Max(V):

    4

  • Qg_Typ(nC):

    40

  • Ciss_Typ(pF):

    1980

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华润华晶
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TO-220F
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12N60FA9R
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更多CS12N60FA9R供应商 更新时间2025-10-4 17:02:00