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DS1230W	文件：214.24 Kbytes Page：11 Pages	3.3V256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1230W	文件：527.46 Kbytes Page：11 Pages	3.3V256KNonvolatileSRAM	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
DS1230W	文件：202.92 Kbytes Page：10 Pages	3.3V256kNonvolatileSRAM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
DS1230Y	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1230Y	文件：222.21 Kbytes Page：10 Pages	256kNonvolatileSRAM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
DS1230Y/AB	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1230Y-AB	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1230YSLASHAB	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DU1230S	文件：195.34 Kbytes Page：3 Pages	RFMOSFETPowerTransistor,30W,12V,2-175MHz Features •N-ChannelEnhancementModeDevice •DMOSStructure •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •HighSaturatedOutputPower •LowerNoiseFigureThanBipolarDevices •SpecificallyDesignedfor12VoltApplications	MACOM Tyco Electronics	MACOM

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