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CS100N03	文件：858.46 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS100N03 A4-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applicatio 文件：858.46 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS100N03-A4G	文件：858.46 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS100N03 A4-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applicatio 文件：858.46 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS100N03A4-G	文件：858.46 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS100N03 A4-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applicatio 文件：858.46 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS100N03A4-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V-300V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS100N03B4-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V-300V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO

技术参数

Polarity：
N
VDS(V)：
30
ID(A)：
100
RDS(ON) at Vgs=10V_TYP(mΩ)：
4
RDS(ON) at Vgs=10V_MAX(mΩ)：
6
RDS(ON) at Vgs=4.5V_TYP(mΩ)：
5
RDS(ON) at Vgs=4.5V_MAX(mΩ)：
7.6
VGS(TH)_Min(V)：
1
VGS(TH)_Max(V)：
2
Qg_Typ(nC)：
52.8
Ciss_Typ(pF)：
2546

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	CS100N03	华晶	25+23+	TO-252	16612	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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更多CS100N03供应商更新时间2025-11-27 16:49:00

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