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FDLL459A	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
FDT459N	文件：89.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance.Thesep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT459	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT459	文件：236.93 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459	文件：44.41 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor ■Features ●6Vreverseblockingcapability ●Lowsaturationvoltage-90mV@50mA ●IC=150mAcontinuous	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT459	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TA	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TA	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT459TA	文件：236.93 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TC	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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