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CR2450X-HO5	文件：300 bytes Page：1 Pages	微型电池	Murata 村田	Murata
VN2450	文件：457.51 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high 文件：457.51 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN2450NW	文件：457.51 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high 文件：457.51 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP2450ND	文件：95.14 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：95.14 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

标称容量：
600mAh
直径：
24.5mm
高：
5mm
质量：
6.2g
额定电压：
3.0V
工作温度范围：
-40℃ to 85℃
IEC (JIS)：
CR2450
极耳：
没有
REACH对应：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	CR2450X	Murata Manufacturing Co., Ltd.	2112+	NA	600	自营现货,只做正品	询价
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更多CR2450X供应商更新时间2026-4-10 14:01:00

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