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CR08AS-12	文件：245.97 Kbytes Page：9 Pages	Thyristor Low Power Use 文件：245.97 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
CR08AS-12_10	文件：245.97 Kbytes Page：9 Pages	Thyristor Low Power Use 文件：245.97 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
CR08AS-12A_13	文件：146.26 Kbytes Page：8 Pages	600V - 0.8A - Thyristor Low Power Use 文件：146.26 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
CR08AS-12A_15	文件：146.26 Kbytes Page：8 Pages	600V - 0.8A - Thyristor Low Power Use 文件：146.26 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
CR08AS-12A-T14	文件：146.26 Kbytes Page：8 Pages	600V - 0.8A - Thyristor Low Power Use 文件：146.26 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
CR08AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	MITSUBISHI SEMICONDUCTOR (THYRISTOR) LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
CR08AS400-12	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount, Phase Control SCR 0.8 Amperes/400-600 Volts	Powerex	Powerex
CR08AS-8	文件：300 bytes Page：1 Pages	Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules: 250V	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
CR08AS-12ABT14#B10	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 600V 1.26A UPAK	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
CR08AS-12A-T14#B10	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 600V 1.26A UPAK	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

VDRM(V)：
600
IGT (mA) max.：
0.1
VGT (V) max.：
0.8
ITSM(A)：
10
Tc (°C)：
51
Tj (°C)：
125
VTM (V) max.：
1.5
di/dt (A/µs) max.：
50
Rth(j-c) (degC/W)：
65
Package Type：
UPAK
Production Status：
Non-promotion

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CR08AS供应商更新时间2025-10-4 14:31:00

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