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CPMF-1200-S080B	文件：929.76 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode Bare Die 文件：929.76 Kbytes 页数：10 Pages	Cree 科锐	Cree
CPMF-1200-S080B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE	Wolfspeed(CREE)	Wolfspeed(CREE)

技术参数

技术：
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
50A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
110 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
90.8nC @ 20V
Vgs（最大值）：
+25V，-5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1915pF @ 800V
功率耗散（最大值）：
313mW（Tj）
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
模具
封装/外壳：
模具

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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