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CPH6021	文件：370.71 Kbytes Page：10 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifi er Features • Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=5V) • High gain : \|S21e\|2=14dB typ (f=1GHz) • Halogen free compliance 文件：370.71 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6021	文件：560.12 Kbytes Page：12 Pages	RF Transistor Features • Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=5V) • High gain : \|S21e\|2=14dB typ (f=1GHz) • Halogen free compliance 文件：560.12 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6021	文件：572 Kbytes Page：12 Pages	High-Frequency Low-Noise Amplifier 文件：572 Kbytes 页数：12 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6021	文件：300 bytes Page：1 Pages	射频晶体管，NPN 单，12 V，100 mA，fT = 10 GHz CPH6021 is RF Transistor, 12 V, 100 mA, fT = 10 GHz, NPN Single CPH6 for High-Frequency Low-Noise Amplifier. • Low-noise use: NF=1.2dB typ (f=1GHz)\n• High cut-off frequency: fT=10GHz typ (VCE=5V)\n• Forward transfer Gain=14dB typ (f=1GHz)\n• Halogen free compliance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6021-TL-H	文件：560.12 Kbytes Page：12 Pages	RF Transistor Features • Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=5V) • High gain : \|S21e\|2=14dB typ (f=1GHz) • Halogen free compliance 文件：560.12 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6021_12	文件：572 Kbytes Page：12 Pages	High-Frequency Low-Noise Amplifier 文件：572 Kbytes 页数：12 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6021-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
VCEO(sus) Min (V)：
20
hFE Min：
60
hFE Max：
150
PTM Max (W)：
0.7
fT Min (MHz)：
8000
NF Typ. (dB)：
1.2
2 Typ. (dB)：
14
Package Type：
CPH-6

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更多CPH6021供应商更新时间2025-12-12 16:36:00

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