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CPH3355	文件：404.92 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features • On-resistance RDS(on)1=120mΩ (typ) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：404.92 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3355	文件：380.41 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=120mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：380.41 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH3355	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel Power MOSFET, -30V, -2.5A, 156mΩ CPH3355 is a Power MOSFET, -30V, 156mΩ, -2.5A, Single P-Channel for General-Purpose Switching MOSFET Device Application. • High reliability\n• Achieve high-quality applications\n• Small package CPH3(2.9mm x 2.8mm x 0.9mmt)\n• Small and slim applied set\n• RoHS Compliance\n• Environmental consideration\n• 4V drive\n• On-resistance RDS(on)1 = 120mΩ (typ);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3355-TL-H	文件：404.92 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features • On-resistance RDS(on)1=120mΩ (typ) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：404.92 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3355-TL-W	文件：404.92 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features • On-resistance RDS(on)1=120mΩ (typ) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：404.92 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3355_12	文件：557.17 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：557.17 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH3355-TL-H	文件：557.17 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：557.17 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-2.5
PD Max (W)：
1
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
262
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
156
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.9
Ciss Typ (pF)：
172
Package Type：
CPH-3

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