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CPD48	文件：203.62 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Current Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14x14MILS DieThickness9.0MILS AnodeBondingPadArea9.0x9.0MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Diode High Current Schottky Diode Chip;	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V	文件：186.83 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Current Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize13.8x13.8MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea9.0x9.0MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V_10	文件：396.61 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Current Schottky Diode Chip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V-CBAT54	文件：320.73 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Diode Die 0.2 Amp, 30 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V-CBAT54	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: 0.2A, 30V Schottky Diode;	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V-CMPSH-3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: 0.2A, 30V Schottky Diode;	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V-CMPSH-3	文件：465.24 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Diode Die 0.1 Amp, 30 Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V-CMPSH-3-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD48V-CMPSH-3-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 13.777 X 13.777
VRRM MAX：
30V
Io MAX：
200mA
IFSM MAX：
600mA
IR MAX：
2μA
@VR：
25V
VF MAX：
240mV
@IF：
100μA
trr MAX：
5ns
CJ MAX：
10pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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