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CPD30V

Dual Switching Diode

Dual Switching Diode Dual, Common Cathode, High Speed Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Die Size 15.4 x 15.4 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode 1 Bonding Pad Area 5.9 x 5.9 x 8.3 MILS Anode 2 Bonding Pad Area 5.9 x 5.9 x 8.3 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back

文件:479.54 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CPD30V

Dual Switching Diode

Central

CPD30V-CMLD2838

Chip Form: Dual-Common Cathode-High Speed

Central

CPD30V-CMLD2838-WN

Package:模具;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE

Central

技术参数

  • Case:

    Chip_Packaging

  • Configuration/ Description:

    Bare die 15.350 X 15.350

  • VRRM MAX:

    75V

  • Io MAX:

    200mA

  • IR MAX:

    100nA

  • @VR:

    50V

  • VF MAX:

    1V

  • @IF:

    10mA

  • trr MAX:

    4ns

  • CJ MAX:

    4pF

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更多CPD30V供应商 更新时间2025-10-10 14:25:00