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CP792V	文件：650.89 Kbytes Page：2 Pages	Smal Signal Transistor PNP - Amp/Switch Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 11 x 11 MILS Die Thickness 7.0 MILS Base Bonding Pad Area 3.7 x 3.7 MILS Emitter Bonding Pad Area 3.7 x 3.7 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 18,000Å 文件：650.89 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3251	文件：866.88 Kbytes Page：5 Pages	PNP - General Purpose Transistor Die 0.2 Amp, 40 Volt 文件：866.88 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3251A	文件：866.73 Kbytes Page：5 Pages	PNP - General Purpose Transistor Die 文件：866.73 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3251-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3251-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3906	文件：949.09 Kbytes Page：10 Pages	PNP - General Purpose Transistor Die 0.2 Amp, 40 Volt 文件：949.09 Kbytes 页数：10 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3906-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3906-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3906-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP792V-2N3906-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 11.024 X 11.024
Polarity：
PNP
IC MAX：
200mA
PD MAX：
360mW
VCEO MAX：
40V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
1V
VCE(SAT) MAX：
250mV
@IC：
10mA
@IB：
1mA
Cob MAX：
6pF
fT MIN：
300MHz
NF MAX：
6dB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
君宇国际实业有限公司	CP7933AT	CYPRESS	19+		565	原装正品	询价
深圳市金宏图电子科技有限公司	CP7933ATT	Infineon Technologies	2025		1000	全新、原装	询价
万三科技(深圳)有限公司	CP7933ATT	Cypress(赛普拉斯)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
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更多CP792V供应商更新时间2026-4-21 15:01:00

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