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CP753V	文件：71.22 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors PNP - High Current Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 66 x 66 MILS Die Thickness 7.1 MILS Base Bonding Pad Area 7.9 x 7.9 MILS Emitter 1 Bonding Pad Area 7.9 x 9.5 MILS Emitter 2 Bonding Pad Area 7.9 x 9.5 MILS Top Side Metalization Al-Si - 30,000Å Back Side Metalizatio 文件：71.22 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP753V_10	文件：413.26 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Transistors PNP - High Current Transistor Chip 文件：413.26 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP753V-CZT953	文件：497.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP - High Current Transistor Die 5.0 Amp, 100 Volt 文件：497.08 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP753V-MJE210	文件：495.6 Kbytes Page：4 Pages	PNP - High Current Transistor Die 5.0 Amp, 25 Volt 文件：495.6 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP753V-CZT953	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Current Transistor	Central	Central
CP753V-MJE210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Current Transistor	Central	Central

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