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CP714V	文件：463.32 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Transistor PNP - Low Noise Amplifier Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 40 x 40 MILS Die Thickness 7.0 MILS Base Bonding Pad Area 7.9 x 8.7 MILS Emitter Bonding Pad Area 9.0 x 14 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 18,000Å 文件：463.32 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-2N5149	文件：525.6 Kbytes Page：4 Pages	PNP - High Current Transistor Die 2.0 Amp, 80 Volt 文件：525.6 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-2N5322	文件：469.67 Kbytes Page：4 Pages	PNP - High Current Transistor Die 2.0 Amp, 75 Volt 文件：469.67 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-MJE172	文件：524.02 Kbytes Page：4 Pages	PNP - High Current Transistor Die 3.0 Amp, 80 Volt 文件：524.02 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-MPS750	文件：523.96 Kbytes Page：4 Pages	PNP - High Current Transistor Die 2.0 Amp, 40 Volt 文件：523.96 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-MPS750-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-MPS750-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP714V-2N5322	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Current Transistor	Central	Central
CP714V-MJE172	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Current Transistor	Central	Central
CP714V-MPS750	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Current Transistor	Central	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 40.160 X 40.160
Polarity：
PNP
IC MAX：
2A
PD MAX：
1W
VCEO MAX：
80V
hFE MIN：
70
hFE MAX：
200
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
460mV
@IC：
1A
@IB：
100mA
Cob MAX：
120pF
fT MIN：
60MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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