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CP591X-2N2907A | PNP - General Purpose Transistor Die The CP591X-2N2907A is a silicon PNP transistor designed for general purpose applications. MECHANICAL SPECIFICATIONS: Die Size 19.3 x 19.3 MILS Die Thickness 5.9 MILS Base Bonding Pad Size 3.5 x 4.3 MILS Emitter Bonding Pad Size 3.5 文件:427.39 Kbytes 页数:3 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
P-Channel JFET Die 文件:465.81 Kbytes 页数:9 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
PNP - High Voltage Transistor Die 文件:530.8 Kbytes 页数:9 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
CP591X-2N2907A | Chip Form: Amplifier/Switch Transistor | Central | Central | |
Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 0.6A DIE 1=400 | CENTRAL | CENTRAL | ||
Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 0.6A DIE 1=20PCS | CENTRAL | CENTRAL |
技术参数
- Case:
Chip_Packaging
- Configuration/ Description:
Bare die 19.290 X 19.290
- Polarity:
PNP
- IC MAX:
600mA
- PD MAX:
400mW
- VCEO MAX:
60V
- hFE MIN:
100
- hFE MAX:
300
- @VCE:
10V
- VCE(SAT) MAX:
400mV
- @IC:
150mA
- @IB:
15mA
- Cob MAX:
8pF
- fT MIN:
200MHz
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CENTRAL |
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模具 |
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只做原装现货 |
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- PI7C8150B
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