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CP396V-2N2369A

NPN - Saturated Switch Transistor Die

The CP396V-2N2369A is a silicon NPN transistor designed for high speed saturated switching applications. MECHANICAL SPECIFICATIONS: Die Size 14.2 x 8.7 MILS Die Thickness 7.1 MILS Base Bonding Pad Size 2.9 x 3.7 MILS Emitter Bonding Pad Size 2.9 x 3.7 MILS Top Side Metalizatio

文件:794.83 Kbytes 页数:3 Pages

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CP396V-2N2369A-CT

P-Channel JFET Die

文件:465.81 Kbytes 页数:9 Pages

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CP396V-2N2369A-CT

PNP - High Voltage Transistor Die

文件:530.8 Kbytes 页数:9 Pages

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CP396V-2N2369A-WN

P-Channel JFET Die

文件:465.81 Kbytes 页数:9 Pages

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CP396V-2N2369A-WN

PNP - High Voltage Transistor Die

文件:530.8 Kbytes 页数:9 Pages

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CP396V-2N2369A

Chip Form: High Speed Switching Trans.

Central

CP396V-2N2369A-CT

Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A DIE 1=400

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CP396V-2N2369A-CT20

Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A DIE 1=20PCS

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技术参数

  • Case:

    Chip_Packaging

  • Configuration/ Description:

    Bare die 14.200 X 8.700

  • Polarity:

    NPN

  • IC MAX:

    200mA

  • PD MAX:

    360mW

  • VCEO MAX:

    15V

  • hFE MIN:

    40

  • hFE MAX:

    120

  • @VCE:

    1V

  • VCE(SAT) MAX:

    300mV

  • @IC:

    10mA

  • @IB:

    1mA

  • Cob MAX:

    4pF

  • fT MIN:

    500MHz

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更多CP396V-2N2369A供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00