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CP305-2N3019	文件：575.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN - High Current Transistor Die PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 31 x 31 MILS Die Thickness 9.0 MILS Base Bonding Pad Area 5.9 x 11.8 MILS Emitter Bonding Pad Area 6.5 x 13.8 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 18,000Å 文件：575.04 Kbytes 页数：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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更多CP305-2N3019供应商更新时间2021-9-14 10:50:00