Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 63 x 63 MILS Die Thickness 10 MILS Base Bonding Pad Area 9 x 12 MILS Emitter Bonding Pad Area 10 x 18 MILS Top Side Metalization Al - 16,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å

文件：203.26 Kbytes 页数：2 Pages

CENTRAL

Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

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双/四路电容性触摸检测芯片

CP2680 是一款 4 通道/2 通道电容检测芯片，具有高效的 RF 噪音抑制功能，能够准确识别手指触摸引起的微小电容变化，适用于用触摸按键替代机械按键等应用场合；具有实时的自校准和基线跟踪算法，能有效避免因环境因素变化而引起按键误触等情况；可以通过 PWM 信号获得按键触发状态； CP2680 DSP 中内置先进的检测算法，能够有效防止水膜引起的误触及抑制干扰噪音。 • 支持 4 个/2 个感应按键\r\n• PWM 指示按键触发状态，能有效减少模拟输出口的电阻网络\r\n• 支持 I/O 口开漏输出指示按键触发状态\r\n• 高效的 RF 噪音抑制\r\n• 能够防水\r\n• 自动基线跟踪和自校准\r\n• 简单的灵敏度调节，只需调整一个外部电容（ Cs）即可\r\n• 邻键抑制\r\n• 低功耗\r\n• 电源电压 2.8-5.5V\r\n• 封装为 SOP8， SOP14， QFN3x3-16L;

Chiphomer

启攀微电子

双/四路电容性触摸检测芯片

CP2680 是一款 4 通道/2 通道电容检测芯片，具有高效的 RF 噪音抑制功能，能够准确识别手指触摸引起的微小电容变化，适用于用触摸按键替代机械按键等应用场合；具有实时的自校准和基线跟踪算法，能有效避免因环境因素变化而引起按键误触等情况；可以通过 PWM 信号获得按键触发状态； CP2680 DSP 中内置先进的检测算法，能够有效防止水膜引起的误触及抑制干扰噪音。 • 支持 4 个/2 个感应按键\r\n• PWM 指示按键触发状态，能有效减少模拟输出口的电阻网络\r\n• 支持 I/O 口开漏输出指示按键触发状态\r\n• 高效的 RF 噪音抑制\r\n• 能够防水\r\n• 自动基线跟踪和自校准\r\n• 简单的灵敏度调节，只需调整一个外部电容（ Cs）即可\r\n• 邻键抑制\r\n• 低功耗\r\n• 电源电压 2.8-5.5V\r\n• 封装为 SOP8， SOP14， QFN3x3-16L;

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