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CP223	文件：194.88 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 22 x 22 MILS Die Thickness 8.0 MILS Base Bonding Pad Area 3.5 MILS DIAMETER Emitter Bonding Pad Area 3.5 x 3.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å 文件：194.88 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP223	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip	Central	Central
CP223-2N3866	文件：631.67 Kbytes Page：9 Pages	NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt 文件：631.67 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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CP223-2N3866-CT	文件：665.86 Kbytes Page：9 Pages	NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt 文件：665.86 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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CP223-2N3866-WN	文件：665.86 Kbytes Page：9 Pages	NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt 文件：665.86 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 21.700 X 21.700
Polarity：
NPN
IC MAX：
400mA
PD MAX：
5W
VCEO MAX：
30V
hFE MIN：
10
hFE MAX：
200
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
1V
@IC：
100mA
@IB：
20mA
Cob MAX：
3pF
fT MIN：
500MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	CP2235SP	CHIPHOMER	17+	SOP16	6300		询价
深圳市华来深电子有限公司	CP2230QN	CHIPHOM	23+	QFN	8650	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
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