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CP195	文件：198.44 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 30 x 30 MILS Die Thickness 7.0 MILS Base Bonding Pad Area 8.0 x 8.0 MILS Emitter Bonding Pad Area 7.6 x 7.6 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 10,000Å 文件：198.44 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N3501-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N3501-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N3501-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N3501-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N5682-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N5682-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N5682-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N5682-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP195-2N3501	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: Amplifier/Switch Transistor	Central	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 30.125 X 30.125
Polarity：
NPN
IC MAX：
300mA
PD MAX：
1W
VCEO MAX：
150V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
250mV
@IC：
50mA
@IB：
5mA
Cob MAX：
8pF
fT MIN：
150MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京天阳诚业科贸有限公司	CP1967-000	TE	2026+	SMT	300000	济德96T0-18673替代CP1967-000	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CP1A12J	PEW	23+		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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