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MJH11022	文件：313.62 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min.) ·HighDCCurrentGain :hFE=400(Min.)@IC=10A ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=5.0A ·ComplementtoTypeMJH11021 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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