MJH11022分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

MJH11022属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJH11022晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Complementary Darlington Silicon Power Transistors

These devices are designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.

特性 Features

• High DC Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)

• Collector−Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) — MJH11018, 17

= 200 Vdc (Min) — MJH11020, 19

= 250 Vdc (Min) — MJH11022, 21

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage

VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A

= 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A

• Monolithic Construction

• Pb−Free Packages are Available*