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BF888	文件：508.07 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceBipolarNPNRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGY888	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BGY888	文件：55 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION Hybridhighdynamicrangeamplifiermoduleoperatingwithavoltagesupplyof24VinaSOT115Jpackage.Thehighgainmoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Highgain •Excellentreturnlosspr	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF888	文件：173.97 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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