| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT-539A |
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深圳市近平电子有限公司8年
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NXP微波射频管 |
6000 |
15+ |
原装正品现货 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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NXP模块 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
11998 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MINISMD其他电子元 |
17 |
5500 |
一级代理全新原装现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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NXPSMD |
1680 |
2018+ |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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NXP/恩智浦SOT-539A |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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NXP/恩智浦SOT-539A |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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NXP/恩智浦SOT-539A |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Ampleon USA Inc.CDFM2 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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NXP |
8600 |
1922+ |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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NXP/恩智浦TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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NXPNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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NXPSMD |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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NXP/恩智浦SOT539A |
12500 |
18+ |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
BLF888采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BLF888图片
BLF888A,112价格
BLF888A,112价格：￥1181.8582品牌：NXP
生产厂家品牌为NXP的BLF888A,112多少钱，想知道BLF888A,112价格是多少？参考价：￥1181.8582。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BLF888A,112批发价格及采购报价，BLF888A,112销售排行榜及行情走势，BLF888A,112报价。
BLF888资讯
BLF888A,112 一级分销商,特价销售,欢迎咨询
BLF888A,112型号基本信息如下型号名称：BLF888A,112制造商：NXPSemiconductors封装：SOT539A批号：--数量：最新库存数量请通过电话及QQ询问我们价格：最新价格请通过电话及QQ联系我们确认类型：RFFET包装:托盘系列:-晶体管类型:LDMOS（双）频率:860MHz增益:21dB电压-测试:50V
BLF888中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF888功能描述:射频MOSFET电源晶体管 500W, 470-860MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF888,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR RF PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF888_11制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power LDMOS transistor
BLF888A制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power LDMOS transistor
BLF888A,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 UHF POWER LDMOS TRANSISTOR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF888A112制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP 制造商:NXP Semiconductors
BLF888AS,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 UHF POWER LDMOS TRANSISTOR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF888B,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 UHF pwr LDMOS transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF888BS,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 UHF pwr LDMOS transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF888D制造商:NXP Semiconductors
