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CPC5602CTR	文件：76.71 Kbytes Page：4 Pages	N Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMO 文件：76.71 Kbytes 页数：4 Pages	Clare Clare, Inc.	Clare
CPC5602CTR	文件：85.3 Kbytes Page：3 Pages	N Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMO 文件：85.3 Kbytes 页数：3 Pages	Clare Clare, Inc.	Clare
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CPC5602CTR	文件：111.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Depletion Mode FET 文件：111.34 Kbytes 页数：5 Pages	Clare Clare, Inc.	Clare

详细参数

型号：
CPC5602CTR
功能描述：
MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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