BF888分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BF888 |
| 参数属性 | BF888 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 |
| 功能描述 | High Performance Bipolar NPN RF Transistor |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
508.07 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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BF888规格书详情
BF888属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF888晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
BF888H6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
4V
- 频率 - 跃迁：
47GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 增益：
27dB
- 功率 - 最大值：
160mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 25A, 3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
PG-SOT343-4-2
- 描述：
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT343 |
7350 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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SOT343 |
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