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CXT5551	文件：285.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony •Lowcurrent(max.600mA) •Highvoltage(max.180v)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
CXT5551	文件：911.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors Features Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.180V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CXT5551E	文件：127.17 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-89case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50nAMax •LowSaturationVol	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551HC	文件：121.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551HCtypeisanhighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551D	文件：103.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551HCD	文件：103.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNHIGHCURRENTSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：35.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CZT5551	文件：675.2 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description TheCZT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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技术参数

Case：
SOT-523 (SC-89)
Configuration/ Description：
NPN High Voltage
Polarity：
NPN
IC MAX：
600mA
PD MAX：
250mW
VCEO MAX：
220V
hFE MIN：
120
hFE MAX：
300
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
75mV
@IC：
10mA
@IB：
1mA
Cob MAX：
6pF
fT MIN：
100MHz
NF MAX：
8dB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	CMUT5551E	CENTRAL	20+	SOT-523	120000	原装正品可含税交易	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CMUT5551ETR	CENTRAL	23+	SOT523	83500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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