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NP80N06PLG	文件：306.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N06PLG	文件：1.05533 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N06PLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PHB80N06LT	文件：71.17 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP80N06LTissup	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB80N06LT	文件：72.66 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP80N06LTissup	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB80N06LT	文件：345.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB80N06T	文件：70.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB80N06T	文件：345.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP80N06LT	文件：994.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP80N06LT	文件：72.66 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP80N06LTissup	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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