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PHB80N06T	文件：70.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB80N06T	文件：345.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP80N06LT	文件：994.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP80N06LT	文件：72.66 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP80N06LTissup	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PHP80N06T	文件：66.16 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJD80N06	文件：391.98 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD80N06SA-AU	文件：485.82 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSF80N06A	文件：266.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSH80N06A	文件：278.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
PHB80N06T
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
TrenchMOS transistor Standard level FET

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