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NP80N06ELC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06ELD	文件：307.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N06ELD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06MLG	文件：333.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N06MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06MLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06MLG	文件：994.69 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N06NLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06NLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06NLG	文件：242.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多CMU80N06供应商更新时间2025-5-26 11:06:00

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