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CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
CXT5551	文件：911.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors Features Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.180V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CXT5551E	文件：127.17 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-89case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50nAMax •LowSaturationVol	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551HC	文件：121.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551HCtypeisanhighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551D	文件：103.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551HCD	文件：103.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNHIGHCURRENTSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：35.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CZT5551	文件：675.2 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description TheCZT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5551	文件：1.787 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
CMPT5551E BK
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 220V 0.6A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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