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CZT5401	文件：164.53 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.6A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-160V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
CZT5401E	文件：152.07 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5401EisaPNPSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKING:FULLPARTNUMBER FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50n	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DM5401	文件：97.92 Kbytes Page：4 Pages	Quad2-InputNANDGateswithOpen-CollectorOutputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DMBT5401	文件：228.07 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT5401	文件：99.59 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-150V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •PairofPNPTransistorsthatareIntrinsicallyMatched(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5401	文件：178 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5401	文件：83.7 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DMMT5401	文件：117.86 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5401	文件：1.36268 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypeAvailable(DMMT5551) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) ●2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) ●1MatchedTolerance,Available(Note2) ●AlsoAvailab	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
DMMT5401-TP	文件：83.7 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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技术参数

Case：
SOT-23 (TO-236AB)
Configuration/ Description：
PNP High Voltage
Polarity：
PNP
IC MAX：
600mA
PD MAX：
350mW
VCEO MAX：
220V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
100mV
@IC：
10mA
@IB：
1mA
Cob MAX：
6pF
fT MIN：
100MHz
NF MAX：
8dB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	CMPT5401E	TY/台灣半導体	23+	SOT23-3	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CMPT5401E	TY/台灣半導体	23+	SOT23-3	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多CMPT5401E供应商更新时间2025-7-28 15:01:00

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