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DXT3906	文件：237.96 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT3906	文件：183.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT3904) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EN3906A	文件：369.9 Kbytes Page：6 Pages	PINDiodeforVHF,UHF,AGCApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FFB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB3906D	文件：497.7 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposePNPTransistor DualGeneralPurposePNPTransistor TheFFB3906Ddeviceisspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdevi	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FJX3906	文件：41.85 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Feature •General-PurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX3906TF	文件：47.33 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Feature •General-PurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT3906	文件：36.7 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheFMBT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT3906	文件：61.96 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO-40 PNPGeneralPurposeTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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详细参数

型号：
CMPT3906E
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Enhanced Complimentary
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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