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CMPT3906E	文件：336.18 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMST3906	文件：118.31 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSUPERminiCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMST3904andCMST3906arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinanSOT-323surfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKINGCODES:CMST39	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMUT3906	文件：350.12 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT3904andCMUT3906arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinanSOT-523surfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKINGCODES:CMUT39	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMXT3906	文件：98.19 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUALPNPSILIOCONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXT3906typeisadualPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT3906	文件：292.03 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
CMPT3906E
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Enhanced Complimentary
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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