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CMXD6001	文件：114.4 Kbytes Page：2 Pages	SUPERmini.TRIPLEISOLATEDSURFACEMOUNTLOWLEAKAGESWITCHINGDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXD6001typecontainsthree(3)IsolatedSiliconSwitchingDiodes,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinaSUPERmini™surfacemountpackage,designedforswitchingapplicationsrequiringextremelylowleakage.MarkingcodeisX01.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CPH6001A	文件：58.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6001A	文件：495.65 Kbytes Page：8 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A-TL-E	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CTS6001	文件：67.93 Kbytes Page：3 Pages	InGaP/GaAsRFICAMPLIFIER	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
D6001N	文件：269.23 Kbytes Page：8 Pages	RectifierDiode RectifierDiode	eupec eupec GmbH	eupec
D6001N	文件：258.339 Kbytes Page：9 Pages	Fullblockingcapability50/60Hzoverawidetemperaturerange KeyParameters VRRM5000V IFAVM5790A(TC=100°C) IFSM3570A(T118000AC=55°C) VT00,674V rT0,104mΩ RthJC4,5K/kW ClampingForce63…91kN Max.Diameter151,5mm ContactDiameter100mm Height26mm Features •Fullblockingcapability50/60Hzover	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
DA6001	文件：836.9 Kbytes Page：3 Pages	HighlyintegratedpowerandClocksupplyICfornew	Dialog Dialog Semiconductor	Dialog

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