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D6001N分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

D6001N
厂商型号

D6001N

参数属性

D6001N 封装/外壳为DO-200AE;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 5KV 8010A

功能描述

Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range
DIODE GEN PURP 5KV 8010A

文件大小

258.339 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 18:10:00

D6001N规格书详情

Key Parameters

   VRRM 5000 V

   IFAVM 5790 A (TC=100 °C)

   IFSM 3570A (T 118000 AC=55°C)

   VT0 0,674 V

   rT 0,104 mΩ

   RthJC 4,5 K/kW

   Clamping Force 63 … 91 kN

   Max. Diameter 151,5 mm

   Contact Diameter 100 mm

   Height 26 mm

Features

• Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range

• High DC blocking stability

• High surge current capability

• Hermeticaly sealed ceramic package

• High case non-rupture current

Typical Applications

• High-current rectifier

• Rectifier for Drives Applications

• Crowbar Applications

D6001N属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。英飞凌科技公司制造生产的D6001N二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

  • 产品编号:

    D6001N50TXPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8010A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    DO-200AE

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 160°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 5KV 8010A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
BGD15026K1
7350
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