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SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 文件:772 Kbytes 页数:4 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
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SURFACE MOUNT SILICON DUAL, BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE 文件:756.29 Kbytes 页数:4 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
SURFACE MOUNT N-CHANNEL SILICON JFET 文件:333.9 Kbytes 页数:2 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
SURFACE MOUNT N-CHANNEL SILICON JFET 文件:333.9 Kbytes 页数:2 Pages | CENTRAL | CENTRAL |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
超高频/特高频 (UHF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
36V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
512MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
67W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
36
- htest:
512000000
- atest:
5
- wtest:
67
技术参数
- Type:
DIP/MOS
- Vdss(V):
120
- Ids(A):
120
- Vth(V):
3
- Rds(Ω)-10V:
0.0058
- Rds(Ω)-4.5V:
0.007
- Channel:
N场
- Pd(W):
250
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登录后点击下载产品规格书----$(document).on(\click\
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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诚信交易大量库存现货 |
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SOT-23 |
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