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CMPDM7002AE_1310	文件：791.29 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 文件：791.29 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central
CMPDM7002AE_15	文件：791.29 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 文件：791.29 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central
CMPDM7002AG	文件：332.13 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 文件：332.13 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPDM7002AG	文件：637.49 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 文件：637.49 Kbytes 页数：4 Pages	Central	Central
CMPDM7002AHC	文件：1.09894 Mbytes Page：2 Pages	60V, 1.0A High Current N-Channel MOSFET in SOT-23 package 文件：1.09894 Mbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPDM7002AHC_15	文件：384.9 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 文件：384.9 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central

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晶体管资料

型号：
CMP18-12
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
512MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
67W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
36
htest：
512000000
atest：
5
wtest：
67

技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
120
Ids(A)：
120
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0058
Rds(Ω)-4.5V：
0.007
Channel：
N场
Pd(W)：
250
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