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BC637	文件：54.83 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistors fordriverstagesofaudio/videoamplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC637	文件：849.26 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highcurrent,Lowvoltage. Applications Driverstagesofaudioorvideoamplifiersapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC637	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor	CDIL CDIL	CDIL
BC637	文件：249.84 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Highcurrenttransistors	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BC637	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BC637	文件：97.76 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistorsforaudioandvideoamplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC637	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC637G	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC637G	文件：66.58 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC637NPN	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor	CDIL CDIL	CDIL
BD637	文件：246.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=25mA •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min.) •ComplementtoTypeBD638 APPLICATIONS •Designedforamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD637	文件：124.18 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=25mA •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min.) •ComplementtoTypeBD638 APPLICATIONS •Designedforamplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C637	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C637	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CNL637	文件：348.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CTN637	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
DC-637	文件：134.3 Kbytes Page：1 Pages	3.0WATTSINGLE&DUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
FDC637AN	文件：240.68 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedeviceshavebeendesigned	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC637AN	文件：1.03816 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDC637BNZ	文件：1.037819 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CMN6385M	NIKO/尼克森微	23+	DFN-85x6	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CMN6385M	CMOS/场效应半导体	21+ROHS	SOT-23-3L	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	CMN6385M	CMOS/场效应半导体	23+	SOT-23-3L	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	CMN6385M	Cmos(广东场效应半导体)	23+	SOT233L	6000	诚信服务，绝对原装原盘	询价
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更多CMN637供应商更新时间2024-6-5 11:00:00

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